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邹新波课题组两名研究生获国际氮化物会议ICNS最佳学生奖

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作为氮化物半导体研究领域的旗舰会议之一，International Conference on Nitride Semiconductors (以下简称ICNS) 第十四届大会于11.12-11.17在日本福冈市举办。大会讨论了氮化物半导体材料与器件的最新进展和研究动态，并吸引了来自世界各国的逾千位领域专家和学者参与交流和讨论。上科大信息学院邹新波课题组的博士生陈嘉祥和硕士生杜海涛在大会做口头报告，经过会议主席团推荐及评审后，均荣获最佳学生奖。图|课题组陈嘉祥和杜海涛同学获ICNS-14最佳学生奖合影博士研究生陈嘉祥以第一作者的身份做了题为“Emission and Capture Kinetics of Minority Carrier Trap in GaN Devices by Optical DLTS”的口头报告。研究揭示了氮化镓材料中少数载流子陷阱的性质及其对p型栅极氮化镓晶体管和n型氮化镓器件不稳定性的影响。面向大功率电源电路对常关型GaN器件的需求，p-GaN HEMT器件由于有阈值电压大于零、栅极漏电小等优点，已被广泛应用，但存在阈值电压不稳定等问题。研究人员针对这一痛

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